Session:u0rd3y55yc14svvlgr2gze55
User:N/A
Time:2026-08-03 22:43:00
Trace:2: ASP.global_asax.Session_Start(Object sender, EventArgs e) - line 184
1: HKI.Conn.SqlUpdate() - line 309
Exception:[HKI] Cannot update database, transaction is rollbacked: 无法为数据库 'lensemi' 中的对象 'dbo.tblSysLogSession'.'PK_tblSysLogSession' 分配空间，因为 'PRIMARY' 文件组已满。请删除不需要的文件、删除文件组中的对象、将其他文件添加到文件组或为文件组中的现有文件启用自动增长，以便增加可用磁盘空间。
SQL: INSERT INTO tblSysLogSession (SessionID, ServerName, RequestHost, RequestPort, ReferrerHost, ReferrerUrl, ReferrerUrlParam, UserHost, UserHostForward, UserAgent, SessionStart) VALUES (N'u0rd3y55yc14svvlgr2gze55', N'EBS-8590', N'www.lensemi.cn', N'80', NULL, NULL, NULL, N'216.73.216.220', N'10.3.163.157', N'Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)', CONVERT(datetime, '2026-08-03 22:43:00.161', 121)) ★
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新闻动态-安徽联芯半导体
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使用半导体放电管需要注意的点有什么？

2024-12-31 | 来源：News

 TSS是电压开关型瞬态抑制二极管，又称涌抑制晶体管，又称其为半导体放电管、固体放电管等。工业中，以半导体器件为主的全业电子研发和生产了多种规格和型号的半导体放电管，主要用于信号电路的防雷保护。
在选择半导体放电管时，要注意：
反向击穿电压VBR值必须大于被保护电路的最大工作电压。如果在POTS应用中，峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V时，应选用VBR大于268.8V的器件。另外，在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V，应选用VBR大于153V的器件。
2、转折电压VBO应小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
3、若要使半导体放电管在较大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统能提供的电流。也就是：IH(系统电压/源阻抗)。
最大瞬间峰值电流IPP必须大于通信设备标准规定。例如，FCCPart68A的IPP应该大于100A;Bellcore1089的IPP应该大于25A。
5、半导体放电管在导通状态下，损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
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