瞬态抑制二极管的特性是反应灵敏，体型小，脉冲功率很大，钳位电压劣等。瞬态抑制二极管被广泛运用于半导体材料及比较敏感元器件的保护，一般用以二极开关电源和数据信号电源电路的保护，基本上全是用以在瓷器气体放电管以后的二极保护，也是有客户立即将其用以商品的一级保护。下边优恩共享一下瞬态抑制二极管的型号选择小技巧：
一，明确被保护电源电路的较大 直流电货持续工作中电压、电源电路的额定值规范电压和较大 容限。
次之，瞬态抑制二极管 的额定值反方向电压应大于或等于被保护电源电路的较大 工作中电压，若采用的关闭电压太低，元器件很有可能进到山崩或由于反方向泄露电流很大危害电源电路的一切正常工作中。串行通信联接分电压，并行处理联接分电流量、
二，瞬态抑制二极管的较大 钳位电压VC应低于被保护电源电路的算还电压。
三，在要求的单脉冲延迟时间内，瞬态抑制二极管的较大 值单脉冲功能损耗PM务必超过被保护电源电路内很有可能发生的值脉冲功率。在明确了较大 钳位电压后，其值浪涌电流应超过瞬态浪涌电流。
四，针对数据信息通信接口的保护，还务必留意选择具备适合电容器C的瞬态抑制二极管元器件。
五，依据主要用途采用瞬态抑制二极管的旋光性及封裝构造，交流电路采用双旋光性瞬态抑制二极管较为有效，多段保护采用TVS列阵更加有益。
六，有关温度的考虑到，瞬态抑制二极管的工作中温度能够在-55~ 150℃。假如瞬态抑制二极管在一个转变 的温度工作中，因为其反方向泄露电流ID是伴随着提升而提升；功能损耗随瞬态抑制二极管结温提升而降低，从 25℃到 175℃，大概线形降低50%的穿透电压VBR随温度的提升按一定的指数提升。因而，务必要考虑到温度转变 对其特点的危害。